该系统专为半导体晶片的湿化学处理而设计，主要用于蚀刻和清洁应用。

单晶圆处理可防止晶圆之间的交叉污染。

伯努利核心原理应用处理技术，将晶圆损坏和污染风险降至最低。

硅晶圆薄化工艺

碳化硅晶圆制程工艺流程

晶圆尺寸

200毫米标准，125/150毫米可选

系统尺寸

宽×深×高=1066毫米×2060毫米×1990毫米

处理室

1个工艺腔室

3个化学液工位

1冲洗与干燥工位

化学的

最多可使用3种不同的化学液

温度

最高65℃