为实现薄膜沉积工艺中最核心的要素——“均匀的薄膜厚度控制”，我们集成开发并应用了先进的控制技术。在此基础上，显著提升了生产效率和工艺良率，并实现了整体工艺可靠性及设备稼动率的突破性进步。

并行工艺优化 通过开发并应用可同时支持不同工艺条件的并行处理技术，提升了生产效率。精准对应半导体制造中同时处理多个任务的概念。实现了独家技术，可通过精密调节沉积过程中施加的等离子体功率，细微控制沉积薄膜的物理强度

Front & Backside metal sputtering（正面&背面金属溅射）

晶圆尺寸

150毫米，200毫米

晶圆类型

硅晶圆，碳化硅晶圆

工艺材料

铝、钒/镍、钒、镍、钛、钛钨、金、银等多种金属及合金

适用产品

碳化硅隧道恢复二极管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、硅绝缘栅双极型晶体管、硅金属氧化物半导体场效应晶体管等高性能功率半导体器件

晶圆处理厚度

200毫米晶圆可实现低至100微米厚度的精密处理

腔体配置

2个负载锁定腔

2个定向与除气腔

最多6个工艺处理腔

操作系统

微软Windows 10专业版

供应项目

主机

电源机架

发生器机架

热交换器

压缩机

干式真空泵